Պղնձի շերտ

Կարճ նկարագրություն.

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Ապրանքի ներածություն

Պղնձի ժապավենը պատրաստվում է էլեկտրոլիտիկ պղնձից՝ ձուլակտորով մշակման, տաք գլանման, սառը գլանման, ջերմային մշակման, մակերեսի մաքրման, կտրման, հարդարման և այնուհետև փաթեթավորման միջոցով։ Նյութն ունի գերազանց ջերմային և էլեկտրական հաղորդակցություն, ճկուն ճկունություն և լավ կոռոզիոն դիմադրություն: Այն լայնորեն կիրառվել է էլեկտրականության, ավտոմոբիլային, կապի, ապարատային, հարդարման և այլ ոլորտներում: Մեր ընկերությունը մշակել է հատուկ օգտագործման արտադրանքի տեսականին, ինչպիսիք են չոր տիպի տրանսֆորմատորների ժապավենները, ՌԴ կոաքսիալ մալուխի ժապավենները, մետաղալարերի և մալուխների պաշտպանիչ շերտերը, կապարի շրջանակի նյութերը, դակիչ ժապավենները էլեկտրոնիկայի համար, արևային ֆոտովոլտային ժապավեններ, ջրի կանգառի ժապավեններ: շինարարական, զարդարված բրոնզե դռներով, կոմպոզիտային նյութերով, մեքենայի բաքի ժապավեններով, ռադիատորի ժապավեններով և այլն։

Հիմնական տեխնիկական պարամետրեր

Քիմիական բաղադրություն

խառնուրդ No.	Քիմիական բաղադրություն (%,Մաքս.)
խառնուրդ No.	Cu+Ag	P	Bi	Sb	As	Fe	Ni	Pb	Sn	S	Zn	O	անմաքրություն
T1	99.95	0,001	0,001	0,002	0,002	0,005	0,002	0,003	0,002	0,005	0,005	0.02	0,05
T2	99,90	---	0,001	0,002	0,002	0,005	0,005	0,005	0,002	0,005	0,005	0.06	0.1
TU1	99.97	0,002	0,001	0,002	0,002	0,004	0,002	0,003	0,002	0,004	0,003	0,002	0.03
TU2	99.95	0,002	0,001	0,002	0,002	0,004	0,002	0,004	0,002	0,004	0,003	0,003	0,05
TP1	99,90	---	0,002	0,002	---	0.01	0,004	0,005	0,002	0,005	0,005	0.01	0.1
TP2	99,85	---	0,002	0,002	---	0,05	0.01	0,005	0.01	0,005	---	0.01	0.15

Ալյումինե սեղան

Անուն	Չինաստան	ISO	ASTM	JIS
Մաքուր պղինձ	T1, T2	Cu-FRHC	C11000	C1100
թթվածնազուրկ պղինձ	TU1	------	C10100	C1011
թթվածնազուրկ պղինձ	TU2	Cu-OF	C10200	C1020
դեօքսիդացված պղինձ	TP1	Cu-DLP	C12000	C1201
դեօքսիդացված պղինձ	TP2	Cu-DHP	C12200	C1220

Առանձնահատկություններ

1-3-1 Տեխնիկական մմ

Անուն	Ալյումինե (Չինաստան)	Խառնվածք	Չափը (մմ)
Անուն	Ալյումինե (Չինաստան)	Խառնվածք	Հաստությունը	Լայնություն
Պղնձի շերտ	T1 T2 TU1 TU2 TP1 TP2	H 1/2H 1/4H O	0,05~0,2	≤600
			0,2~0,49	≤800
			0,5~3,0	≤1000
Shield Strip	T2	O	0,05~0,25	≤600
Shield Strip	T2	O	0,26~0,8	≤800
Մալուխի ժապավեն	T2	O	0,25~0,5	4~600
Transformer Strip	TU1 T2	O	0,1~<0,5	≤800
Transformer Strip	TU1 T2	O	0,5~2,5	≤1000
Ռադիատորի շերտ	TP2	O 1/4H	0,3~0,6	15-400
PV ժապավեն	TU1 T2	O	0,1~0,25	10-600
Car Tank Strip	T2	H	0,05~0,06	10-600
Decoration Strip	T2	ՀՕ	0,5~2,0	≤1000
Water-Stop Strip	T2	O	0,5~2,0	≤1000
Կապարի շրջանակի նյութեր	LE192 LE194	H 1/2H 1/4H EH	0,2~1,5	20-800 թթ

Խառնվածքի նշան: O. Փափուկ; 1/4H. 1/4 կոշտ; 1/2H. 1/2 կոշտ; Հ. Կոշտ; EH. Ուլտրակարծր.

1-3-2 Հանդուրժողականության միավոր՝ մմ

Հաստությունը	Լայնություն
	Հաստությունը Թույլատրել Շեղում±			Լայնություն Թույլատրել շեղում±
	<600	<800	<1000	<600	<800	<1000
0,1~0,3	0,008	0,015	-----	0.3	0.4	-----
0,3~0,5	0,015	0,020	-----	0.3	0.5	-----
0,5~0,8	0,020	0,030	0,060	0.3	0.5	0.8
0,8~1,2	0,030	0,040	0,080	0.4	0.6	0.8
1.2 ~ 2.0	0,040	0,045	0,100	0.4	0.6	0.8

1-3-3 Մեխանիկական կատարում:

համաձուլվածք		Խառնվածք		Առաձգական ուժ N/mm2	Երկարացում ≥%	Կարծրություն HV
T1	T2	M	(O)	205-255 թթ	30	50-65 թթ
TU1	TU2	Y4	(1/4ժ)	225-275 թթ	25	55-85 թթ
TP1	TP2	Y2	(1/2H)	245-315 թթ	10	75-120 թթ
		Y	(H)	≥275	3	≥90

Խառնվածքի նշան: O. Փափուկ; 1/4H. 1/4 կոշտ; 1/2H. 1/2 կոշտ; Հ. Կոշտ; EH. Ուլտրակարծր.

1-3-4 Էլեկտրական պարամետր:

համաձուլվածք	Հաղորդունակություն/% IACS	Դիմադրության գործակից/Ωmm2/մ
T1 T2	≥98	0,017593
TU1 TU2	≥100	0,017241
TP1 TP2	≥90	0,019156